|
Thông tin chi tiết sản phẩm:
|
| Làm nổi bật: | 窑用碳化硅板式,Bảng Silicon Carbide nhiệt độ cao,碳化硅陶瓷板式 |
||
|---|---|---|---|
Tấm Đặt Silicon Carbide (SiC) là một khay chịu lửa hiệu suất cao được thiết kế cho các ứng dụng thiêu kết và xử lý nhiệt ở nhiệt độ cao. Nổi tiếng với độ dẫn nhiệt cực cao, độ bền cơ học vượt trội ở nhiệt độ cao và khả năng chống sốc nhiệt ưu việt, tấm đặt SiC cho phép các chu kỳ gia nhiệt và làm nguội nhanh chóng, đồng thời duy trì độ phẳng kích thước và ngăn ngừa biến dạng hoặc cong vênh phôi.2. Tính năng & Lợi ích chính
Tạo điều kiện phân phối nhiệt nhanh chóng và đồng đều trên tấm, giảm đáng kể mức tiêu thụ năng lượng của lò và rút ngắn thời gian chu kỳ.Khả năng chống sốc nhiệt cực cao:
Có khả năng chịu được chu kỳ nhiệt khắc nghiệt và làm nguội nhanh chóng mà không bị nứt hoặc mỏi.Độ bền chịu tải cao & Độ chảy võng thấp:
Duy trì độ bền uốn cơ học tuyệt vời dưới tải trọng nặng ở nhiệt độ cao lên đến1650°C1380°CKhả năng chống hóa chất & ăn mòn:
Chống oxy hóa, axit, kiềm và xói mòn xỉ hóa chất trong môi trường oxy hóa, khử hoặc chân không.Lớp phủ bảo vệ tùy chọn:
Có thể được phủ bằngAlumina ($Al_2O_3$) có độ tinh khiết cao để ngăn ngừa phản ứng hóa học/bám dính với phôi nhạy cảm.Zirconia ($ZrO_2$) có độ tinh khiết cao để ngăn ngừa phản ứng hóa học/bám dính với phôi nhạy cảm.Yttria ($Y_2O_3$) có độ tinh khiết cao để ngăn ngừa phản ứng hóa học/bám dính với phôi nhạy cảm.3. Thông số kỹ thuật theo cấp vật liệu
| R-SiC (Kết tinh lại) | SiSiC (Liên kết phản ứng) | N-SiC (Liên kết Nitride) | Hàm lượng SiC (%) |
| ≥ 99% | ≥ 88% | ≥ 75% | Nhiệt độ làm việc tối đa (°C) |
| 1650°C | 1380°C | 1450°C | Mật độ khối (g/cm³) |
| 2.68 – 2.72 | 3.02 – 3.05 | 2.65 – 2.70 | Độ bền uốn (20°C) |
| ≥ 100 MPa | ≥ 250 MPa | ≥ 45 MPa | Độ dẫn nhiệt (W/m·K) |
| ≥ 30 | ≥ 45 | ≥ 16 | Độ xốp biểu kiến (%) |
| 13% – 15% | ≤ 0.1% (Đặc) | 14% – 16% |
Người liên hệ: Daniel
Tel: 18003718225
Fax: 86-0371-6572-0196
Vietnamese
