Các bộ phận gốm nitrure nhôm

Bộ phận gốm sứ nhôm Nitride

Nhờ đặc tính cách điện và tính dẫn nhiệt tuyệt vời, gốm nhôm nitride (AIN) rất lý tưởng cho các ứng dụng cần tản nhiệt. Hơn nữa, vì nó có hệ số giãn nở nhiệt gần bằng silicon và khả năng kháng plasma tuyệt vời nên nó được sử dụng cho các thành phần của thiết bị xử lý chất bán dẫn.

Gốm nhôm nitrit (AIN) thể hiện các đặc tính đặc biệt như được liệt kê dưới đây:

• Tính chất cơ học tốt,
• Độ bền uốn cao hơn gốm Al2O3 và BeO,
• Nhiệt độ cao và khả năng chống ăn mòn.
• Độ dẫn nhiệt cao kết hợp với đặc tính cách điện tốt.
• Độ ổn định đặc biệt khi tiếp xúc với lượng lớn muối nóng chảy.
• Độ ổn định nhiệt không dưới 1500°C.
• Tính chất cơ học thuận lợi kéo dài trong phạm vi nhiệt độ cao.
• Độ giãn nở nhiệt thấp và khả năng chống sốc nhiệt.
• Đặc tính quang học và âm thanh đặc biệt.

Hình thành chế biến:

• ép phun gốm
• Đúc khuôn áp suất thấp
• Máy ép đẳng tĩnh lạnh
• Máy ép khô
• Đúc băng
• Gia công chính xác

Sản phẩm gốm nhôm nitrit:

• Bộ tản nhiệt gốm AlN cho hệ thống công suất cao
• Nồi nấu kim loại AlN, cốc bay hơi Al và các bộ phận khác có khả năng chống ăn mòn ở nhiệt độ cao.
• Chất nền đồng liên kết trực tiếp (DBC)
• Thanh gốm AlN
• Bánh quế gốm ALN
• Chất nền gốm ALN
• Lò sưởi gốm AlN
• Biểu mẫu tùy chỉnh

Ứng dụng của các thành phần gốm nhôm nitride:

• Linh kiện cho công nghệ bán dẫn
• Vỏ IC
• Chất nền mô-đun nhiệt
• Chất nền mô-đun bóng bán dẫn công suất cao
• Chất nền thiết bị tần số cao
• Tấm cách nhiệt cho module thyristor
• Laser bán dẫn, chất nền cố định cho đi-ốt phát quang (LED)
• Mô-đun tích hợp lai, mô-đun thiết bị đánh lửa
• Được sử dụng trong gốm kết cấu thiêu kết.
• Nồi nấu kim loại AlN để nấu chảy kim loại và thuốc lá điện tử
• Áp dụng cho vật liệu phát sáng.
• Áp dụng cho vật liệu nền

Nhôm nitrit (AlN) có độ rộng vùng cấm tối đa là 6,2 eV, mang lại hiệu suất chuyển đổi quang điện cao hơn so với các chất bán dẫn có vùng cấm gián tiếp. Là một vật liệu phát quang màu xanh lam và tia cực tím quan trọng, AlN được sử dụng trong đèn LED UV/UV sâu, điốt laser cực tím và máy dò tia cực tím. Hơn nữa, AlN có thể tạo thành các dung dịch rắn liên tục với các hợp chất nitrit nhóm III như GaN và InN, và hợp kim ba hoặc bậc hai của nó có thể cung cấp khoảng cách dải có thể điều chỉnh liên tục từ vùng nhìn thấy đến vùng UV sâu, khiến nó trở thành vật liệu phát quang hiệu suất cao quan trọng.

Tinh thể AlN là chất nền lý tưởng cho vật liệu epiticular GaN, AlGaN và AlN. So với chất nền sapphire hoặc SiC, AlN thể hiện khả năng tương thích nhiệt và hóa học vượt trội với GaN, cũng như điện áp thấp hơn giữa chất nền và lớp epiticular. Do đó, tinh thể AlN làm chất nền epiticular GaN có thể làm giảm đáng kể mật độ khuyết tật của thiết bị, cải thiện hiệu suất thiết bị và có các ứng dụng đầy hứa hẹn trong các thiết bị điện tử công suất cao, tần số cao và nhiệt độ cao.

Ngoài ra, chất nền vật liệu epiticular AlGaN với tinh thể AlN là thành phần Al cao có thể làm giảm mật độ khuyết tật của lớp epiticular nitride một cách hiệu quả và cải thiện đáng kể hiệu suất và tuổi thọ của các thiết bị bán dẫn nitride.

Thông số chung của chất nền gốm ALN:

Chiều dài và chiều rộng: 25,4 mm; 50,8mm; 63,5mm; 76,2mm; 101,6mm; 114,3mm; 127mm; 152,4 mm.

độ dày: 0,25 mm; 0,5 mm; 0,63mm; 1mm; 1,5 mm; 2 mm.