|
Thông tin chi tiết sản phẩm:
|
| Nguyên liệu: | Nhôm Nitrua (AlN) | Đặc trưng: | độ dẫn nhiệt cao; đặc tính cách điện tuyệt vời; sức lực; hệ số giãn nở nhiệt thấp; khả năng kim loại |
|---|---|---|---|
| Màu: | Xám | Tỉ trọng: | 3,3 g/m3 |
| Làm nổi bật: | Gốm sứ nhôm nitride 320 MPa,tấm wafer nhôm nitride 320 MPa,nhôm nitride dẫn nhiệt cao |
||
Nitrua nhôm (AlN)
Vật liệu gốm với độ dẫn nhiệt rất cao
Nhôm Nitride (AlN), một loại gốm liên kết cộng hóa trị, được tổng hợp từ các nguyên tố dồi dào nhôm và nitơ.Nó không xảy ra một cách tự nhiên.
AlN bền trong môi trường trơ ở nhiệt độ trên 2000 ° C.Nó thể hiện tính dẫn nhiệt cao nhưng đặc biệt là một chất điện môi mạnh.Sự kết hợp đặc tính bất thường này khiến AlN trở thành vật liệu tiên tiến quan trọng cho nhiều ứng dụng trong tương lai trong quang học, chiếu sáng, điện tử và năng lượng tái tạo.
Ngoài sản xuất bột, chúng tôi còn có khả năng sản xuất và cung cấp các sản phẩm AlN thiêu kết.Để đáp ứng nhu cầu ngày càng tăng về quản lý nhiệt, chúng tôi đang phát triển băng nhôm Nitride được kim loại hóa bằng đồng, cấu trúc 3D phức tạp hình lưới và vật liệu tổng hợp.Các sản phẩm tiên tiến như lò phản ứng vi kênh AlN và chất nền AlN với cấu trúc kim loại nhúng mới đang được phát triển.
Sự chỉ rõ:
|
Tính chất |
Lớp vật liệu |
|
AlN |
|
|
Mật độ, g / sm3 |
3,3 |
|
Độ cứng Vickers, GPa |
11 |
|
Độ bền uốn, MPa |
320 |
|
Mô-đun trẻ, GPa |
320 |
|
Độ dẫn nhiệt, W / (m · K) |
180 |
|
Hệ số của lớp lót nhiệt, 10-6 / ºК |
4,7-5,6 |
|
Cường độ điện, kV / mm |
16 |
|
Điện trở suất âm lượng, Ohm · m |
> 1012 |
|
Điện dung điện môi |
8,9 |
Các thuộc tính chính:
độ dẫn nhiệt cao;
đặc tính cách điện tuyệt vời;
sức mạnh;
hệ số giãn nở nhiệt thấp;
khả năng kim loại hóa tốt.
Các ứng dụng chính:
khoảng trống cho bảng mạch in bằng sứ;
chất nền để kim loại hóa trên công nghệ màng dày và màng mỏng;
bề mặt đánh bóng để kim loại hóa trên công nghệ màng mỏng;
chất nền cho đèn LED;
chất nền cho điốt laze;
chất nền chính xác cho GIS vi sóng và các vi lắp ráp với các lỗ và vết lõm mật độ cao cho các tinh thể;
nhiều thẻ cho các bộ điện trở, bộ lưu biến, cảm biến mức nhiên liệu, áp suất, v.v.;
vật mang các chất độc, bức xạ ion hóa, cảm biến từ trường, v.v ...;
tấm để ion hóa và ozon hóa không khí;
tấm cách nhiệt để loại bỏ nhiệt từ các linh kiện điện tử đến bộ tản nhiệt làm mát;
bộ bảo vệ cho các phần tử của bộ chuyển đổi áp điện;
đế và giá đỡ của các phần tử gia nhiệt phẳng, tinh thể của các thiết bị bán dẫn công suất lớn;
tấm cho mô-đun nhiệt điện (phần tử Peltier);
màn hình cho máy phát plasma tần số vô tuyến;
nồi nấu kim loại.
Người liên hệ: Daniel
Tel: 18003718225
Fax: 86-0371-6572-0196
